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扫描电镜（SEM）中的能谱分析（EDS）中出现假峰（artifact peaks）或伪峰（spurious peaks），可能由以下几类原因引起：

1. 高能激发引起的伴随峰（Sum Peaks）

当两个或多个 X 射线几乎同时被探测器接收时，其能量会“叠加”成一个新的峰值。

例如：两个 Fe 的 Kα 射线叠加，可能产生一个新峰，位置在其能量的两倍处。

常在强信号样品或高束流下出现。

2. 逃逸峰（Escape Peaks）

探测器中的 Si 原子被入射的高能 X 射线激发，导致自身发出 Si Kα（约1.74 keV）X 射线逃逸出去。

结果：实际入射能量减去 Si 的1.74 keV，出现一个“偏低”的伪峰。

常见于高能峰附近，如 Cu 或 Mo 出现逃逸峰。

3. 荧光激发的伪峰

当样品发出的 X 射线激发到腔体内其它材料（如样品台、探测器窗口、针头）时，这些材料可能也会发出 X 射线信号。

比如：样品台为铜，可能出现 Cu 的信号峰。

4. 后散射电子或次级电子干扰

如果样品表面导电性差或电荷积累，可能导致电子散射异常，引起谱图中奇怪的峰值或基线抖动。

通常配合导电涂层或降低加速电压可减少这类干扰。

5. 软件识别或背景扣除算法误判

部分自动识别软件在峰形分析中可能将背景扰动误识为元素峰。

特别是信噪比较低或谱图质量较差时。

6. 污染或残留物引起的误峰

例如：样品中残留 C、O、Na、Cl 等元素，可能引入谱图中并非目标的杂峰。

通常出现在样品未经清洗或准备过程不当时。

如何判断是否为假峰：

观察峰的位置是否与实际元素特征 X 射线不符。

多次采集、换样品或区域比对谱图是否一致。

检查是否为设备内部常见伪峰（如 Si、Cu、Al 等）。

使用标准样或参考谱对比。